芯片制作硅晶圆准备好后，光刻工艺开启关键一步

芯片制作流程复杂且精密。首先是设计阶段，设计团队利用 EDA 工具完成芯片架构、逻辑和电路设计，输出包含详细电路信息的版图文件。接着进入制造环节，硅晶圆准备好后，光刻工艺开启关键一步。光刻机发出极紫外光（EUV）或深紫外光（DUV），通过掩模版将电路图案投射到涂有光刻胶的晶圆上，光刻胶受光照射后性质改变。随后蚀刻，用化学溶液或等离子体去除未被光刻胶保护的硅材料，留下精确电路图案。蚀刻后进行掺杂，采用离子注入或扩散方法，将硼、磷等杂质原子引入特定区域，形成 P 型或 N 型半导体。完成上述步骤后，进行多层布线，在晶圆上沉积金属层并刻蚀出导线，连接不同电路元件。制造完成的晶圆需进行测试，使用探针台等设备检测芯片功能、性能是否达标，筛选出良品。最后将良品芯片封装，保护芯片免受外界环境影响，同时为芯片提供电气连接接口，至此芯片制作完成。