湿度和烟雾的含量也需要规定与控制，德州仪器TI晶圆隔离/微局部环境技术

晶圆隔离/微局部环境技术还有利用其他方法升级现存制造工厂的优点，因污染而损失的成品率可降低，这个优点即使在小型工厂或费用较低时也可以使用。WIT可使空气洁净度达到较高的要求，并可降低建造和生产费用。因为晶圆已被隔离，所以就减轻了对工作服、工作过程和各种其他限制的要求，德州仪器TI随着更大尺寸晶圆的出现，增加了POD的质量，这对操作人员来讲也过重，增加了滑落后的损失，这反而增加了机械手的建造费用与复杂性。微局部设计规划还要考虑等待加工的晶圆存储问题。现行的技术使用储存柜来存储等待的加工晶圆与POD，布局的规划可能还包括一个存储中心，每台设备上有或没有缓冲存储区，带有装卸晶圆系带有真空或惰性统的环境控制腔气体隔离的POD工艺反应腔晶圆匣标准机械接口装置(SMIF)微环境系统部件。烟雾，温度与湿度除了控制颗粒，德州仪器TI空气中温度、湿度和烟雾的含量也需要规定与控制。温度控制对操作员的舒适性与工艺控制是很重要的，许多利用化学溶剂来做刻蚀与清洗的工艺都在没有温度控制的工艺槽内完成，只依赖于洁净室温度的控制。这种控制非常重要，因为化学反应会随温度的变化而不同，例如，温度每升高10℃，刻蚀速率参数加2。典型的室温为72°F±2°F(22.2°C±1.1°C)，相对湿度也是一个非常重要的工艺参数，尤其在光刻工艺中。在这个工艺中，要在晶圆表面镀上一层聚合物作为刻蚀模版。如果湿度过大，晶圆表面太潮湿，会影响聚合物的结合，就像在潮湿的画板上绘画一样。如果湿度过低，晶圆表面就会产生静电，这些静电会从空气中吸附微粒。一般相对湿度应保持在15%到50%之间，烟雾是洁净室的另一个空中污染源。而它同样对光刻工艺影响最大。光刻中的一个步骤与照相中的曝光相似，是一种化学反应工艺，德州仪器TI臭氧是烟雾中的主要成分，易影响曝光，必须被控制。在进入空气的管道中装上碳素过滤器可吸附臭氧。