抛光液中的化学成分与待抛光材料发生化学反应，德州仪器TI化学蚀刻和机械研磨两种技术

CMP结合了化学蚀刻和机械研磨两种技术，其原理可概括为：化学反应：抛光液中的化学成分与待抛光材料发生化学反应，生成容易去除的化合物或软化材料表面机械研磨：利用抛光垫和抛光液中的磨粒对材料进行机械磨削，去除反应生成的化合物及材料表面，CMP工艺的组成部分抛光液（Slurry）：包含氧化剂、络合剂、腐蚀抑制剂、pH调节剂和磨粒等成分，在化学和机械两个方面都起到重要作用抛光垫（Polishing Pad）：安装在旋转的抛光盘上，具有一定的硬度和弹性，可以有效地配合抛光液进行材料去除抛光机（Polishing Machine）：包括旋转盘、晶圆夹具和抛光液分配系统。抛光机控制抛光的压力、速度和时间，CMP工艺步骤晶圆装载：将待抛光晶圆固定在抛光机的晶圆夹具上抛光液分配：抛光液均匀分布在晶圆和抛光垫之间抛光：通过抛光机施加适当压力和旋转速度，进行抛光。化学成分软化材料表面，机械磨粒去除软化材料清洗：抛光完成后，晶圆需要经过清洗去除残留的抛光液和磨粒检查：使用光学显微镜或其他检测设备检查抛光效果，确保表面平坦度和材料去除量符合要求关键参数与控制CMP工艺中关键参数需要精确控制，以确保抛光效果和工艺稳定性：抛光压力：过高的压力可能导致晶圆破损，过低的压力则抛光效率低旋转速度：包括抛光盘和晶圆的旋转速度，影响抛光的均匀性和速率抛光液配方：化学成分、磨粒浓度和pH值等直接影响化学反应速率和机械去除效率抛光时间：需根据材料去除量和表面平坦度要求进行精确控制。