不同的薄膜沉积工艺有各自的优缺点和应用场景，德州仪器TI选择合适的沉积工艺

特定的薄膜沉积技术：分子束外延（MBE）：通过在高真空下直接将原子或分子束沉积到基片上，形成超薄和高质量的晶体薄膜。适用于高精度和高质量的外延生长。原子层沉积（ALD）通过交替暴露基片于不同的反应气体，实现原子层级的精确控制。适用于需要非常精确厚度控制的薄膜。旋涂（Spin Coating）：利用高速旋转将液态材料均匀分布在基片上，然后通过热处理形成薄膜。常用于制造光刻胶层和某些有机薄膜电化学沉积（ECD）：ECD，也称为电镀，主要用于铜互连的沉积。它涉及通过施加电流将溶液中的金属离子还原到晶圆表面。不同的薄膜沉积工艺有各自的优缺点和应用场景。在半导体制造中，选择合适的沉积工艺取决于具体的器件要求、材料特性以及工艺控制的精度。PVD 和 CVD 是最常用的两大类，但其他技术如 MBE 和 ALD 也在特定应用中扮演着重要角色。化学机械抛光在沉积之后，晶圆会经过一系列的抛光步骤以创建光滑、镜面般的表面。这一点非常重要，因为任何表面缺陷或污染物都可能会对最终半导体器件的性能和可靠性产生不利影响。抛光过程通常结合了化学和机械技术，例如化学机械平坦化（CMP）。该过程使用含有研磨颗粒和化学反应剂的浆料，以受控的方式从晶圆表面去除材料。CMP工艺的目的主要是实现晶圆表面的全局平坦化，为后续的光刻和刻蚀工艺提供平整的基底。这对于多层互连结构和细微线宽技术尤为重要。CMP广泛应用于以下方面。