蚀刻技术分为干法刻蚀和湿法刻蚀，德州仪器TI气体以等离子体形式存在

设备能够促进产业链的迭代升级，让更加精密化的部件得以生产，应对各种不同的需求，设备技术的突破是决定产业升级的关键因素之一，想要做到更加精确、更加细致、更加高效的生产，那设备就成为重点中的重点。本文将围绕晶圆制造所涉及的工艺流程进行相关介绍。德州仪器TI晶圆制造中，工艺主要包含扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、清洗和金属化等，各工艺之间相互联通，贯穿产业链，主要包含扩散设备、光刻设备、刻蚀设备、清洗设备、离子注入设备、薄膜沉积设备、机械抛光设备等。本文针对于半导体设备及其相关技术进行介绍。同时也便于更加清晰的了解产业流程，薄膜沉积、光刻和刻蚀三大工艺循环，将所有光罩的图形逐层转移到晶圆上制成集成电路，蚀刻技术分为干法刻蚀（目前主流技术）和湿法刻蚀，干法刻蚀：干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点：一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。因此，干法刻蚀是晶圆片表面物理和化学两种过程平衡的结果，使用气体碰撞表面进行刮擦，加工精度高。