晶圆支架和掩模版之间有一个对准系统，德州仪器TI光学聚焦系统将光源发出的光转换为平行光

光学聚焦系统将光源发出的光转换为平行光，然后穿过掩模版，由第二光学聚焦系统投射到晶圆上。晶圆支架和掩模版之间有一个对准系统。实际上，为了在投影打印中实现高分辨率，只有一小部分掩模被成像。这个小区域的图像场在晶圆表面上扫描。以几纳米的分辨率将掩模图像步进到晶圆表面上的投影打印机称为步进重复系统，投影打印系统的分辨率主要受衍射限制，一般来说，投影打印可以达到亚微米级。投影印刷有两个最显著的优点，一是硅片不与掩膜接触，避免了因接触而磨损造成的工艺缺陷，二是掩膜不易破损，可以仔细修正以消除缺陷，提高掩膜的利用率，由于这些优点，德州仪器TI投影印刷已成为小于3μm光刻工艺最重要的方法之一。光刻设自平面光刻工艺发明以来，光刻设备已经历了五代，每代设备都能够达到一定的临界尺寸（CD）和分辨率。五个光刻时代的代表分别是接触式光刻机、接近式光刻机、扫描投影式光刻机、步进重复式光刻机和步进扫描系统。接触式光刻机从SSI时代到20世纪70年代，接触式光刻机是光刻的主要方法。它用于线宽5μm及以上的制造工艺。虽然也可以实现0.4μm的线宽，但目前接触式光刻机已不再广泛使用。图5是接触式光刻机系统示意图，接触式光刻机的掩模版包含所有将被复制到硅片表面的阵列图案。硅片上涂有光刻胶，并被装载到可以手动控制的平台上。通过分光显微镜同时观察掩模版和硅片，然后操作员手动定位平台，使掩模版上的图案与硅片上的图案对齐。一旦掩模版和硅片对准，掩模版就会直接接触硅片表面的光刻胶涂层，这就是该设备被称为接触对准器的原因。然后将掩模版和硅片暴露在紫外线 (UV) 下。紫外线穿过掩模版的透明部分，然后将掩模版上的图案转移到光刻胶上。