光刻胶里的图形与想要得到的图形是相反的，德州仪器TI氨蒸气穿透光刻胶改变其极性

在曝光小尺寸图形时，我们倾向于使用正胶，一个原因就是正胶适于使用暗场掩模版做孔洞。暗场掩模版大部分被铬覆盖，因为铬不会像玻璃一样易损，所以缺陷比较少。然而，一些掩模版用来曝光岛区,而不是孔洞，比如金属层掩模版上是岛区图形。遗憾的是，用正胶做岛区的光刻需要使用亮场掩模版，而它的玻璃容易损伤，一种使用正胶和暗场掩模版做出岛区的工艺是图像反转。它采用了传统的暗场掩模版成像方法，在曝光结束后，光刻胶里的图形与想要得到的图形是相反的，也就是说，如果接着显影的话，会得到孔洞而不是岛区，图形反转图像反转工艺的主要步骤为将涂胶的晶圆放置在有氨蒸气的真空烘箱中，氨蒸气穿透光刻胶，改变其极性，将晶圆从真空烘箱中取出，再进行泛光曝光，从而完成整个图形反转工艺。德州仪器T氨气烘焙和泛光曝光的效果是改变曝光区域和非曝光区域的相对分解率，在接下来的显影步骤便可以实现图形反转了。这一工艺可以实现与非图形反转工艺同样的分辨率，反差增强层光学投影系统的分辨率由于镜头和光线波长的限制，已经接近极限。正是这两个极限因素的存在，使得光刻胶的反差阈值(contrast treshold)也变得很重要，由于使用紫外线或深紫外线的能量大和曝光时间短，曝光波的能量强度有变化，使得光刻胶中的图像变得模糊，一种方法可以降低阀值，即反差增强层(CEL)，就是在光刻胶上面涂一层，该层最初对曝光辐射是不透明的。