导电介质被称为连接柱(stud)或连接塞(plug)，德州仪器TI双大马士革工艺

随着器件密度的增加，金属的层数也不得不随之增加，在各金属层之间使用导电介质连接，导电介质被称为连接柱(stud)或连接塞(plug)，钨是首选的金属材料，但对它的刻蚀比较复杂。另外，铜已经代替铝成为首选金属化系统。然而，铜的工艺又引入了一大堆新的问题。一种是使用被称为双大马士革(dual damascene)的工艺代替传统的光刻和刻蚀工艺。它是一种类似于将金属嵌ru入层间介质的嵌人式工艺。在这种工艺中，在一种介质或其他物体表面开出凹槽，将金属涂布整个表面，也填充到凹槽中。去除表面溢出的金属后，一些保留在凹槽中，留下一个装饰图形。在半导体应用中，首先使用传统的光刻工艺刻出沟道，然后用所需的金属填充沟道，并用电镀法淀积铜，金属淀积溢出表面。用化学机械抛光(CMP)将溢出的金属去除，留下在沟槽内相互隔离的金属(见下图)。半导体 | 金属化工艺中已详细讲述这一新的和重要图形的形成技术，聚酰亚胺平坦化层聚酰亚胺在印制电路板生产中已经被使用了许多年。在半导体生产中主要是用它增强淀积形成的二氧化硅膜的绝缘效果，而且在晶圆上涂聚酰亚胺与涂光刻胶使用的设备相同。将聚酰亚胺涂在晶圆表面后，由于聚酰亚胺的流动会使晶圆表面变得更平坦，然后可以在聚酰亚胺上面覆盖其他硬薄层。聚酰亚胺可以像光刻胶一样与化学物质反应从而得到图形。聚酰亚胺用途最广的是被用于两层金属之间的绝缘层。由于聚酰亚胺的平坦性使得第二层金属层的图形定义变得更容易。反刻平坦化，反刻被用于局部平整,金属线条形成后，在上面淀积一层厚的氧化物，并在氧化物上涂一层光刻胶。然后使用等离子体刻蚀。首先，较薄的光刻胶先被刻蚀掉，并开始刻蚀氧化物。接着，较厚的光刻胶也被刻蚀掉，而且一些氧化物也被刻掉。这样综合效果是局部表面得以平坦化。