工艺扩散加强硅烷化光刻胶( DESIRE)工艺，德州仪器TI双层光刻胶剥离技术

在基本的双层光刻胶工艺基础上，引申出了PMMA添加染色剂和在第一层光刻胶下面使用防反射层等工艺。许多引申出来的工艺都已非常成熟。德州仪器TI使用双层光刻胶工艺其中一种是剥离(lift-off)技术。通过调整下面一层的显影控制，可以得到悬垂结构，它可以帮助在晶圆表面更好地定义金属线，双层光刻胶剥离技术三层光刻胶工艺，在原来的两层光刻胶之间引进了一层“硬”层。这层“硬”层可能是二氧化硅或其他抗显影剂物质。与双层光刻胶工艺相同，图形是先在顶层光刻胶形成的;接着，图形通过传统的刻蚀工艺转移到中间“硬”层中:最后，使用“硬层作为刻蚀掩模版，将图形转移到底层。由于使用了“硬”中间层，底层可以使用非光刻胶物质，比如聚酰亚胺，三层光刻胶工艺硅烷化作用或 DESIRE 工艺扩散加强硅烷化光刻胶( DESIRE)工艺是一种新颖的表面图形化工艺方法与其他的多层光刻胶工艺类似，DESIRE也是平整晶圆表面，在表层形成图形。DESIRE工艺使用标准的紫外线曝光表面层。在这一工艺中，曝光只局限于顶层。然后，将品圆放入反应腔中暴露于HMDS,发生硅烷化反应(silylation process)。通过这一步，硅混入曝光区域。富硅区域变成了硬掩膜，可以用各向异性RE刻蚀使其下面的材料干法显影和去除。在刻蚀工艺中,硅烷化区域变成二氧化硅(SiO2),形成了更坚固的刻蚀阻挡层。这种只在最上一层定义图形的技术称为上表面成像(Top Surface lmage，TSI)。