前道工艺（Front-End，即晶圆制造）设备和后道工艺（Back-End，即封装测试），德州仪器TI光聚合型，光分解型和光交联型

半导体设备按半导体加工过程主要分为前道工艺（Front-End，即晶圆制造）设备和后道工艺（Back-End，即封装测试）设备两大类。涂胶/显影机在前道工艺中是光刻工艺重要环节的设备，德州仪器TI后道工艺中主要应用封装技术的涂胶、显影等工序。后道先进封装使用晶体管的前道制造方式，制作后道连接电路，故先进封装的工艺流程与前道相似，所需设备类别也大体相同，只在关键尺寸与精度上同前道有区别，使用圆片级封装时，涂胶显影设备所需尺寸与前道相同，主要为8/12寸涂胶显影设备。涂胶和显影是光刻前后的重要步骤，设备以不同工艺所用的光刻胶、关键尺寸等方面的差异来分类。光刻胶是半导体，面板，PCB等领域加工制造中的关键材料。光刻胶是由树脂，感光剂，溶剂，光引发剂等组成的混合液态感光材料。光刻胶应用的原理是利用光化学反应，经光刻工艺将所需要的微细图形转移到加工衬底上，来达到在晶圆上刻蚀出所需的图形或抗离子注入的目的。从光刻胶的发展历程看，从20世纪50年代至今，光刻技术经历了紫外全谱（300-340nm），G线（436nm），I线（365nm），深紫外（DeepUltraviolet，DUV，248nm和193nm），以及目前最引人注目的极紫外（EUV，13.5nm）光刻等阶段，相应地，各曝光波长的光刻胶组分（成膜树脂、感光剂和添加剂等）也随之变化。德州仪器TI反应机理和显影原理，可以将光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶形成的图形与掩膜版（光罩）相同，负性光刻胶显影时形成的图形与掩膜版相反。根据感光树脂的化学结构，光刻胶可分为光聚合型，光分解型和光交联型。根据应用领域，光刻胶可以分为PCB光刻胶、面板光刻胶和半导体光刻胶，半导体产业一直沿着摩尔定律向前发展，芯片工艺节点先后跨越了90nm、45nm、28nm、14nm，如今7nm和5nm已经实现量产，3nm和2nm是现在业界努力的方向，在这个不断演进的过程中，以光刻为基础的图形化工艺在其中扮演着至关重要的角色。光刻是芯片制造过程中最重要、最复杂、最昂贵的工艺。其精密度决定了芯片的制程，以及器件性能。