光刻机系统不断突破光学精密机械材料等领域技术瓶颈，德州仪器TI光刻机各个系统也在不断优化升级

随着制程工艺的演进，光刻机各个系统也在不断优化升级，双工件台技术与浸液技术相继被采用。 德州仪器TI在前道工序集成电路制造方面，主要采用的都是紫外线光刻工艺，包括深紫外 DUV 和极紫外 EUV。而在早些年，半导体制程工艺还没演进到 180nm 节点，那时的光刻精度没现在这么高，也不需要用到 DUV 和 EUV，采用的是接触/接近式光刻机（Aligner），扫描投影/重复步进光刻机（Stepper）。当制程工艺发展到 0.25 微米后，步进扫描式光刻机（Scanner）的扫描曝光视场尺寸与曝光均匀性更具优势，逐步成为主流光刻设备（DUV 和 EUV）。其利用 26mm x 8mm 的狭缝，采用动态扫描的方式（掩模版与晶圆片同步运动），可以实现 26mm x 33mm 的曝光场。当前曝光场扫描完毕后，转移至下一曝光场，直至整个晶圆曝光完毕。为了满足不断提升的性能指标要求，光刻机的各个组成系统不断突破光学、精密机械、材料等领域的技术瓶颈，实现了多项高精尖技术的融合。最近这几年，在 EUV 光刻系统中，光源的重要性似乎更加凸出，也受到了更多关注。通过配置不同类型的光源（i 线、KrF、ArF，EUV），步进扫描光刻机可以支持所有集成电路制程节点，但为满足最先进制程的要求，每一代步进扫描光刻机都历经了重大技术升级，例如：步进扫描式光刻机 26mm x 8mm 的静态曝光场相对较小，降低了物镜系统制造的难度；但其工件台与掩模台反向运动的动态扫描方式，德州仪器TI提升了对运动系统的性能要求。 从 DUV 到 EUV自 1990 年 SVGL 公司推出 Micrascan I 步进扫描光刻机以来，光刻机产业就进入了 DUV 时代，一直到 7nm 芯片量产，DUV 都是市场的统治者。在这一过程中，DUV 技术也在不断演进，以满足制程工艺的发展要求。例如，越先进的制程，其线宽越小，这就需要光刻机具有更高的曝光分辨率，为了提升分辨率，要不断提高光刻机物镜的数值孔径（NA），并采用波长更短的光源，另外，浸没式光刻系统也是一大发明，它通过在物镜镜头和晶圆之间增加去离子水来增大折射率，达到了提升分辨率的效果。当制程工艺发展到 22nm 时，必须引入新的方法才能进一步提升光刻的分辨率，多重曝光技术诞生。多重曝光技术有多种类型，包括：双重曝光（DE），曝光-固化-曝光-刻蚀（LFLE），双重曝光（LELE），三重曝光（LELELE），自对准多重曝光（SAMP）。多重曝光是把原来一层光刻图形拆分到两个或多个掩模版上，以实现图像密度的叠加，这样就实现了比光刻机极限分辨率更小的图形。例如，用 DUV 加上四重曝光技术（SAQP）进行多次曝光处理，可使制程工艺水平由双重曝光（SADP）的 40nm 提升到 20nm。