提高光刻胶的精度对于材料研究是一个挑战，德州仪器TI光刻工艺：光刻胶BARC掩膜保护薄膜

德州仪器TI由于技术的限制，基于图像的套刻精度(IBO)只能测量放置在器件周围划线处的光栅目标。目标在某些区域可能分布不均匀，部分区域甚至都无法放置。因此他们提出了一种利用CDSEM量测来补充IBO目标缺失位置的新方法。据测试，该方法可显著恢复IBO目标缺陷处的误校正，从而改善产品套刻精度。”光刻工艺：光刻胶、BARC、清洗材料、掩膜、掩膜保护薄膜（pellicle）等除了光刻机外，光刻技术在量产过程中还有很多问题需要解决，比如光刻胶、掩膜、掩膜保护薄膜（pellicle）。如果这些问题解决得好，就有可能实现DUV光刻机下从40nm、50nm到14nm的突破，那我们依次来谈一谈。提到光刻胶，大家的第一反应可能是日本和韩国的半导体贸易摩擦，日本一卡，韩国就只能退步，可见光刻胶等光刻材料的重要性。厦门大学嘉庚创新实验室科技总监Mark Neisser表示，“当我们为了提高光刻机的产能，就不得不提高光刻胶被曝光的速度，但是一旦光刻胶曝光时间缩短，曝光反应的量就可能会较少，这时候就会引入随机效应，也就是噪音，那如何降低随机效应呢？这个时候我们就要提高光刻胶的精度，这对于材料的研究也是一个挑战。”关于光掩膜，大家知道光掩膜其实是芯片制造中的一个模板，我们也称之为光罩，它是一种模具，就像我们小时候印照片的胶卷底片，但为了制造方便，光掩膜会变大4倍左右，然后再微缩到硅片上，实现芯片的小型化。蔡司半导体光掩模解决方案销售及商务服务总监徐慕邓表示，“光掩模通常是用石英玻璃制造的，石英基板上有金属涂层，通过电子束曝光等工序，即可做成用来制造集成电路的掩模版。如果掩模版上面存在缺陷或者表面附有脏污的话，就会影响光刻时的成像，进而影响芯片良率，甚至废片。因此有时会给掩模板加一层保护薄膜（pellicle），防止灰尘等污染物掉到金属图形上去。”蔡司在光掩模制造过程中的强项，在于其电子束修复机、光学影像模拟测量仪，这都是比较有竞争力的产品。“在光掩模的制造过程中，或多或少会有一些工艺缺陷，电子束修复机就是用于修复这些缺陷，以提高良品率。，电子束修复机的难点在于精度要求非常高。德州仪器TI光学影像模拟测量仪就好比光罩出厂前的最后认证，是用来模拟光刻机在wafer上曝光成像的，就使得光罩厂可以在不通过wafer print的情况下就能知道这片光罩的成像效果，这一点非常方便且重要。” 徐慕邓补充道。无独有偶，来自ICRD的时雪龙在IWAPS 2020会上作了题为《快速准确的基于机器学习的反演光刻：使用基于物理的特征图和经过特殊设计的DCNN》的报告。时雪龙表示，“由于巨大的计算资源需求和较长的计算时间，反演光刻技术（Inverse lithography technology, ILT）的全芯片实现仍然是一项艰巨的任务。为了实现全芯片级别的反演光刻技术，他们提出了一种方法，能够将前几个基于物理学的特征图与经过特殊设计的深度卷积神经网络(DCNN)结构相结合。其测试结果表明，这种方法可以使基于机器学习的反演光刻变得更加容易、快速和准确。”