薄膜沉积、刻蚀等实现对光刻图形的空间倍频，德州仪器TI光刻机被老百姓广泛关注

自对准双重成像技术 SADP自对准双重成像技术，思路是在一次光刻完成后，相继使用非光刻工艺步骤（薄膜沉积、刻蚀等）实现对光刻图形的空间倍频，最后使用另外一次光刻和刻蚀把多余的图形去掉。工艺流程：在衬底表面沉积一层牺牲材料（sacrifice layer）（CVD材料）→进行光刻和刻蚀，将掩模上的图形转移到牺牲材料层上，牺牲材料层上的图形称为mandrel或core→使用原子层沉积技术（ALD）在mandrel的表面和侧面沉积一层厚度相对比较均匀的薄膜（spacer材料）→使用RIE工艺将沉积的spacer材料再刻蚀掉，称为etch back 由于mandrel侧壁的几何效应，沉积在图形两侧的材料会残留下来，形成spacer，使用选择性强的腐蚀液 把mandrel去掉，留下spacer在衬底表面，spacer图形的周期是光刻图形的一半，实现了空间图形密度的倍增]→使用RIE工艺把spacer图形转移到衬底里的硬掩模上[侧壁成像工艺，自对准双重成像技术 SADP3、EUV极紫外线（EUV）使用与传统曝光技术相比波长显著缩短的光源（13.5nm）最大的不同是这个波长范围内透射型镜头的缩小光学系统不能使用，使用的是反射镜的缩小光学系统，使用多个非球面镜的反射光学系统将EUV光源反射到掩模版上，在晶圆在形成图形， 德州仪器TI纳米压印技术（NIP）1、定义一种将模具压在树脂上形成图案的方法2、工艺流程热：预加热使其具有可塑性光：按压透光模具，用光照射使其固化，分类热纳米压印：将转移材料通过加热使聚合物变形，并转移模具形状光纳米压印：用光固化材料进行图形转移可关注我索要完整版半导体制造工艺pdf手写笔记。先进节点的计算光刻技术、SMO、DTCO、EUV、工艺、量测、Deep Learning、光刻设备、材料等主题分享了各自的研究成果，探讨了图形化解决方案，研讨了即将面临的技术挑战，分享者包括来自ASML、Nikon、Canon这三大光刻机主要提供商的技术和领导层。当摩尔定律发展到工艺节点5nm的时候，继续简单粗暴地缩小特征尺寸变得越来越困难。那么接下来集成电路何去何从呢？我们的技术专家和学者们给出了三种方案方向：“More Moore”、“More than Moore”、“Beyond CMOS”，即深度摩尔、超越摩尔与新器件。验室科技总监Mark Neisser告诉我们的记者，“目前像手机、车载、物联网等非常多的应用场景下，我们除了要追求深度摩尔定律下的特征尺寸极致化外，德州仪器TI更大的趋势是追求功能的多样化，比如通过封装技术实现手机多种传感器的集成，从而增加人脸识别功能等等。”卡主脖子的何止光刻机？光刻技术作为集成电路制造中最复杂、最关键的工艺，面临内部“短板”和外部封锁等困难，您如何看待该现象？”“光刻机被老百姓广泛关注，既是好事也不是好事。因为没有光刻机，我们做不出图案来，确确实实是集成电路中很重要的一个环节，但实际上它并不是制约我们集成电路发展的唯一因素。就好比前一阶段日本与韩国的经济纠纷，其焦点就是材料——光刻胶及集成芯片化学试剂。而目前有非常多的芯片其实是用不到7nm这样的顶级工艺，比如物联网、笔记本、计算机、服务器等领域的芯片，因此我们不能把目光过度集中在7nm光刻机这一件事情上。”“具体到光刻机的问题，我们国家02专项里面已经进行了部署，自主研制的DUV光刻设备也已在生产。