涂布工艺转速越高薄膜厚度越薄，德州仪器TI光刻胶黏度越高薄膜厚度越厚

曝光光源波长，NA是投影透镜的数值孔径，k是工艺参数因子提高分辨率的方法：① 使用λ较短的光源；② 对镜头系统进行改进，增大NA；③ 对光刻工艺进行改进，提升k因子4、聚焦深度聚焦深度较大时，在焦深范围内，即使晶圆表面有台阶，在台阶上下转移图形时也不会有差异。减小λ，增大NA时，DOF变小，因此如果提高分辨率，聚焦深度将会变小，这是具有矛盾性的。曝光光源历史光刻胶1、分类正性光刻胶：光照射不到的地方留下图形负性光刻胶：光照射到的地方留下图形、感光机理正性光刻胶由重氮萘醌与酚醛树脂结合而成，光照射后氮气脱离，变成酮结构，用碱性水溶液显影变成水溶性羧酸，然后被去除，没有被光照射的区域留下图形。负性光刻胶由感光材料+聚合物组合，光照射后进一步聚合，不溶于作为显影液的有机溶剂，即光照射区域保留图形。负性光刻胶发生的是聚合反应，在分辨率方面处于劣势，德州仪器TI在先进工艺中常用正性光刻胶、要求中短波长段的可见光可使得光刻胶感光，因此光刻区域与普通洁净室是隔离开的，采用不会使光刻胶感光的照明光源，工作时称为黄光区。涂布工艺转速越高，薄膜厚度越薄；光刻胶黏度越高，薄膜厚度越厚。晶圆边缘会出现膜稍厚的部分，为边缘堆积→边缘冲洗时，还要进行背面冲洗，防止光刻胶倒流到晶圆背面。显影工艺正性光刻胶→使用氢氧化铵显影液溶解被光照射的部分负性光刻胶→使用二甲苯、乙酸丁酯显影液去除没有发生光聚合反应的部分，灰化（去胶）工艺机理：灰化工艺是产生氧等离子体，等离子体中的氧自由基使光刻胶的有机成分燃烧，浸液曝光技术1、背景曝光光源的波长不断变短，在ArF（193nm）时达到极限；后ArF时代，讨论F2激光（157nm），但实用性困难。2、德州仪器TI原理浸液曝光实质是提高NA。在晶圆和透镜之间充满水，光遵循折射定律NA=n·sinθ，波长为193nm时，双重图形技术1、定义双重图形是进行两次曝光的复制微细图形的技术，通过两次曝光来提高一次曝光所能达到的分辨率（第一次曝光是在硬掩膜上复制图形，第二次曝光是在光刻胶上复制最小线宽图案，从而在同一间距上形成2倍数量的图形的方法），但工艺明显变复杂，成本增加。