一个芯片的产生要经历几十次光刻才能完成，德州仪器TI光刻是最复杂昂贵和关键的工艺

透镜光学系统上面简述了光刻工艺的流程，在实际工艺中，一个芯片的产生要经历几十次光刻才能完成，有些结构层甚至需要多次光刻才能形成。光刻是芯片制造的核心，是IC制造的最关键步骤，在主流的微电子制造过程中，光刻是最复杂、昂贵和关键的工艺，其成本约占整个硅片加工成本的三分之一甚至更多。说道芯片制造，不得不说摩尔定律，摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔于1965年提出来的。其内容为：集成电路上可容纳的电晶体（晶体管）数目，约每隔24个月便会增加一倍；经常被引用的“18个月”，是由英特尔首席执行官大卫·豪斯所说：预计18个月会将芯片的性能提高一倍（即更多的晶体管使其更快）。摩尔定律的推动下，为了更高的新能，更低的功耗以及更低的成本，用于光刻的光源波长从436nm（G线，汞灯），405nm（H线，汞灯），365nm（I线，汞灯），248nm（DUV，汞灯KrF准分子激光），193nm（DUV，ArF），157nm（未使用），到目前最先进的13.5nm（EUV）。157nm的光源并未实际使用，而是由193nm浸没式光刻所替代。德州仪器TI浸没式光刻原理之所以要不断缩小波长，就是要提高光刻分辨率，光刻分辨率，就是指能清晰分辨出硅片上相隔很近的特征图形的能力，公式是R=kλ/NA，其中k代表工艺因子，λ表示波长，NA表示曝光系统的数值孔径。可以看出，要提高光刻分辨率，需要减小光源波长，或者增大数值孔径。光刻机曝光波长与透镜数值孔径发展趋势，193nm波长干式光刻机的极限数值孔径为0.93，之后采取浸没式光刻，数值孔径增加到1.35。分辨率高了，做的结构体积就越小，性能和功耗自然就会改善，最重要的是，成本会更低（简单的理解，同样大小的硅晶圆上，可以生产更多的芯片）摩尔定律的驱使下，芯片器件尺寸不断缩小，对工艺的要求越来越高，最大的瓶颈就是分辨率的提高，而光刻机的发展逐渐跟不上节奏了，更小波长的光刻机难以制造，因此出现了一系列分辨率增强技术，例如离轴照明、多级光源，光学临近效应修正，移相掩模，光源掩模协同优化，多重曝光，自对准多重光刻技术等，这些技术的出现，将摩尔定律硬生生延续了下来，当然，也有人在研究光光刻机有哪几种主要类型？德州仪器TI接触式光刻机的优缺点是什么？材料科学与工程硕士?，光刻工艺流程光刻工艺二、曝光1、接触式曝光定义：将掩模版直接与涂有光刻胶的晶圆接触进行曝光优点：曝光设备的光学系统简单、价格低廉缺点：掩模版与涂有光刻胶的硅片直接接触，晶圆上的灰尘粘到掩模版及硅片，缩小投影曝光定义：使用光学系统将掩模版图案缩小到复制到晶圆上。