半导体行业人员对于半导体的未来发展充满忧虑,德州仪器TI光刻机分为干式和浸没式

来源:时间: 2024-09-23

半导体行业人员对于半导体的未来发展充满忧虑,德州仪器TI光刻机分为干式和浸没式

德州仪器TI现在广泛使用的光刻机分为干式和浸没式,45nm以下的高端光刻机的市场中,ASML是目前市场的龙头,占据 80%以上的份额。而目前最为先进的光刻机叫EUV光刻机,目前华为麒麟990 5G版首次采用了7nm EUV技术,EUV技术也叫紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography),它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的紫外线,目前1-4 代光刻机使用的光源都属于深紫外光,而5代EUV光刻机则属于极紫外光。根据瑞利公式(分辨率=k1·λ/NA),这么短的波长可以提供极高的光刻分辨率。在1985年左右已经有半导体行业科学家就EUV技术进行了理论上的探讨并做了许多相关的实验。在摩尔定律的规律下,以及在如今科学技术快速发展的信息时代,半导体行业人员对于半导体的未来发展充满忧虑。所以便想通过新的光刻技术来对当前的芯片制造方法做出全面的改进,推动半导体行业进入新的发展。光刻机龙头企业 ASML 从 1999 年开始 EUV 光刻机的研发工作,原计划在 2004 年推出产品。但直到 2010 年 ASML 才研发出第一台 EUV 原型机, 2016 年才实现下游客户的供货,比预计时间晚了十几年。直到2019年,第一款7nm EUV 工艺的芯片 Exynos 9825 才正式商用,EUV 光刻机面市时间表的不断延后主要有两大方面的原因,一是所需的光源功率迟迟无法达到 250 瓦的工作功率需求,二是光学透镜、反射镜系统对于光学精度的要求极高,生产难度极大。到了2020年,主流的手机旗舰芯片都将采用EUV技术,超分辨光刻设备加工的4英寸光刻样品,为什么造光刻机这么难,光刻机需要体积小,但功率高而稳定的光源。ASML的顶尖光刻机,使用波长短的极紫外光,光学系统极复杂,而位于光刻机中心的镜头,由20多块锅底大的镜片串联组成。镜片得高纯度透光材料+高质量抛光。ASML的镜片是蔡司技术打底。镜片材质做到均匀,需几十年到上百年技术积淀,德国一些抛光镜片的工人,祖孙三代在同一家公司的同一个职位。


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