测量对准光刻等所有流程都在这一个工作台上完成，德州仪器TI浸没式光刻系统的原理

德州仪器TI双工作台光刻机。硅片在进入光刻流程前要先进行测量和对准，过去光刻机只有一个工作台，测量、对准、光刻等所有流程都在这一个工作台上完成。 2001 年 ASML 推出了双工作台系统（TWINSCAN system），双工作台系统使得光刻机能够在不改变初始速度和加速度的条件下，当一个工作台在进行曝光工作的同时，另外一个工作台可以同时进行曝光之前的预对准工作，使得光刻机的生产效率提升大约 35%。虽然从结果上来看，仅仅是增加了一个工作台，但其中的技术难度却不容小觑，双工作台系统对于换台的速度和精度有极高的要求， 如果换台速度慢，则影响光刻机工作效率；如果换台精度不够， 则可能影响后续扫描光刻等步骤的正常开展。双工作台光刻机系统样机创新三： 浸没式光刻系统。到了 45nm 制程节点时， ArF 光刻机也遇到了分辨率不足的问题，此时业内对下一代光刻机的发展提出了两种路线图。一是开发波长更低的 157nmF2准分子激光做为光源， 二是由 2002 年台积电林本坚提出的浸没式光刻。此前的光刻机都是干式机台，曝光显影都是在无尘室中，以空气为媒介进行。由于最小分辨率公式中的 NA 与折射率成正相关，如果用折射率大于 1 的水做为媒介进行光刻，最小分辨率将得到提升，这就是浸没式光刻系统的原理。ASML 率先推出浸没式光刻机，奠定自身市场地位。林本坚提出浸没式光刻设想后， ASML开始与台积电合作开发浸没式光刻机，并在 2007年成功推出第一台浸没式光刻机TWINSCANXT:1900i，该设备采用折射率达到 1.44 的去离子水做为媒介，实现了 45nm 的制程工艺，并一举垄断市场。当时的另两大光刻巨头尼康、佳能主推的157nm 光源干式光刻机被市场抛弃，不仅损失了巨大的人力物力，也在产品线上显著落后于 ASML，这也是尼康、佳能由盛转衰，ASML 一家独大的重要转折点。