能量控制器控制最终照射到硅片上的能量，德州仪器TI半导体制造晶体管

激光器光刻机核心设备之一，光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度达到纳米级。物镜：物镜由20多块镜片组成，主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小，再被激光映射的硅片上，并且物镜还要补偿各种光学误差。德州仪器TI技术难度就在于物镜的设计难度大，精度的要求高。量台、曝光台： 承载硅片的工作台， 一般的光刻机需要先测量，再曝光，只需一个工作台，ASML 的双工作台光刻机则可以实现一片硅片曝光同时另一片硅片进行测量和对准工作，能有效提升工作效率。内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。光刻机的发展，本质上是为了满足更高性能、更低成本芯片的生产需求。半导体芯片具有不同的制程，即不同的技术节点，经常看到的45nm、 28nm、 10nm 等字样即是对不同制程的描述，那么不同的制程该如何理解，不同制程的芯片又有何差异呢？这要从集成电路的最基本单元——晶体管说起，用半导体制造晶体管是利用其特殊的导电能力来传递 0 或 1 的数字信号。晶体管的内部结构图，德州仪器TI在栅区不通电的情况下，源区信号很难穿过不导电的 P 型衬底到达漏区，即表示电路关闭（数字信号 0），如果在栅区和衬底间加上电压，衬底中的电荷就会在异性相吸的作用下在绝缘氧化层下大量聚集，形成一条细窄的导电区，使得源区和漏区导通，电流就可以顺利从源区传递到漏区（信号1），这就是晶体管最基本的工作原理。 而栅极下方两个 N—阱间的距离，即导电沟道的长度，被定义为晶体管的尺寸。