光刻技术是重中之重，光刻精度决定芯片集成度

芯片制作有多项关键技术。光刻技术是重中之重，光刻精度决定芯片集成度。从传统紫外光刻到极紫外光刻（EUV），技术不断突破。EUV 光刻能实现小于 10 纳米的特征尺寸，让芯片在更小面积上集成更多晶体管。蚀刻技术同样关键，分为湿法蚀刻和干法蚀刻。湿法蚀刻利用化学溶液腐蚀硅材料，精度相对较低；干法蚀刻借助等离子体，蚀刻精度高、可控性强，更适用于精细芯片制作。掺杂技术影响芯片电学性能，离子注入可精确控制杂质原子剂量和深度，广泛用于现代芯片制作。在芯片制造设备方面，光刻机是最昂贵且核心的设备，荷兰 ASML 公司的 EUV 光刻机代表行业顶尖水平。先进的刻蚀机、离子注入机等设备，也是芯片制作不可或缺的，它们的性能提升推动芯片制作工艺不断进步。此外，芯片制作中的工艺控制技术，如对温度、压力、气体流量等参数的精准控制，确保每一步工艺的稳定性和重复性，保障芯片质量。