半导体工艺流程包括前道晶圆制造工序和后道封装测试工序，德州仪器TI晶圆经历了氧化、涂胶、光刻、刻蚀、离子注入

德州仪器TI半导体工艺流程包括前道晶圆制造工序和后道封装测试工序。前道工序是晶圆制造工序。在前道工序中，晶圆经历了氧化、涂胶、光刻、刻蚀、离子注入、物理/化学气相沉积、抛光、晶圆检测、清洗等一系列步骤，每一步都需要相应的半导体制造设备。后道工序是封装测试工序。在后道工序中，尚未切割的晶圆片进入IC封测环节，经历磨片/背面减薄、切割、贴片、银浆固化、引线焊接、塑封、切筋成型、FT 测试，每一环节同样需要相应的半导体封装设备与半导体测试设备。最终得到芯片成品。刻蚀机美国和日本在刻蚀设备制造领域处于领先地位，代表厂商包括美国的泛林和应用材料，日本的东京电子和日立。国内的中微公司（688012.SH）达到国际一流水平，已经打入台积电的供应链中，北方华创（002371.SZ）的硅刻蚀机进入中芯国际等多条生产线的先进工艺中进行大规模生产，并在 14nm 核心工艺技术上取得了重大进展，金属刻蚀机已批量应用于 8 英寸集成电路生产线。薄膜沉积设备：美国、欧洲和日本在薄膜沉积设备领域处于领先地位，主要厂商包括美国的应用材料、泛林，荷兰的先进半导体材料(ASM)，日本的东京电子(TEL)等。国内在薄膜沉积领域已有长足进步，北方华创（002371.SZ）自主开发的系列 PVD 设备已经用于 28m 生产线中，用于 14m 工艺的 PVD 设备实现重大进展;沈阳拓荆和北方华创（002371.SZ）的 PECVD 设备也在芯片及 MEMS 生产线上得到应用。离子注入机：国外主要厂商有美国SPIRE和ISM Tech.，英国AEA Industrial Tech.、Tec Vac 和 Tech-Ni-Plant，法国 Nitruvid 和 IBS，西班牙的 INASMET 和 AIN，德国MAT，丹麦 DTI Tribology Centre 等；国内生产线上使用的离子注入机多数依赖进口，中电科电子装备有限公司、中电科 48 所、上海凯世通也能提供少量产品。电科装备在国内厂商中拥有绝对优势，CMP抛光机：美国和日本在 CMP 设备制造领域处于领先地位，生产厂商主要包括美国的应用材料和日本的荏原机械，两家企业占据全球 98%的市场份额，呈现高度垄断的竞争格局。国内 CMP 设备的主要研发生产单位有天津华海清科和中电科 45 所，其中华海清科的设备已在中芯国际生产线上试用，中电科 45 所 8 英寸设备已进入中芯国际生产线进行工艺验证，12 英寸设备也在研发当中。