光刻涂胶工艺无论在晶圆制造前道工艺还是封装测试后道工艺，德州仪器TI基于稳态微聚束（Steady-state microbunching，SSMB）

这种光源存在不少需要突破的技术难点，而且造价高昂。德州仪器TI基于稳态微聚束（Steady-state microbunching，SSMB）技术的粒子加速器光源。SSMB 概念由斯坦福大学教授、清华大学访问教授赵午与其博士生 Daniel Ratner 于 2010 年提出。基于 SSMB 原理，能获得高功率、高重频、窄带宽的相干辐射，波长可覆盖从太赫兹到极紫外波段。 SSMB 原理验证实验示意图，光刻机从诞生到现在，经历了多次迭代，发展出了多种应用技术，为了应对不断发展的应用需求，新的技术高峰和难题也在等待业界去攀登和攻克。对于中国半导体产业而言，面对外部压力，需要在保持国际供应链通道的同时，不断强化自研能力，光刻机，特别是 EUV 光刻机是重要一环。目前德州仪器TI企业在封装和显示面板用光刻机方面已经能够实现自主，但在先进制程芯片制造方面，还有很长的路要走。在提升 EUV 光源功率水平方面，已出现多条发展路径，无论是走传统技术路线，还是另辟蹊径，寻找更好的追赶国际先进光刻技术水平的解决方案，都需要踏踏实实地进行技术研发和工程验证工作，绝对不是短期内就能达到目标的，需要长期坚持，不懈努力。光刻的本质就是把临时电路结构复制到硅片上，这些结构首先以图形形式制作在掩模版上。光源透过掩模版把图形转移到硅片表面的光敏薄膜上。涂胶和显影是光刻前后的重要步骤，设备以不同工艺所用的光刻胶、关键尺寸等方面的差异来分类。光刻机工作原理光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。光刻涂胶工艺无论在晶圆制造前道工艺还是封装测试后道工艺，都需要涂胶显影设备。